Eduard Cartier: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (36)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Origins of Effective Work Function Roll-Off Behavior for High-κ Last Replacement Metal Gate Stacks

Ando, Takashi, Cartier, Eduard A., Bruley, John, Choi, Kisik, Narayanan, Vijay

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 532 KB

english, 2013

2

[IEEE 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - Montreal, QC, Canada (2009.04.26-2009.04.30)] 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - Stress-induced leakage current and defect generation in nFETs with HfO2/TiN gate stacks during positive-bias temperature stress

Cartier, Eduard, Kerber, Andreas

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 484 KB

english, 2009

3

[IEEE 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - Montreal, QC, Canada (2009.04.26-2009.04.30)] 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - The effect of interface thickness of high-k/metal gate stacks on NFET dielectric reliability

Linder, Barry P., Cartier, Eduard, Krishnan, Siddarth, Stathis, James H., Kerber, Andreas

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 250 KB

english, 2009

4

(Invited) Advanced Replacement High-K/Metal Gate Stack Engineering for High-Performance Strained Silicon-Germanium FinFETs with High Ge Content

Hashemi, Pouya, Ando, Takashi, Cartier, Eduard A., Bruley, John, Lee, Choong-Hyun, Narayanan, Vijay

Журнал:

ECS Transactions

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 446 KB

english, 2018

5

[IEEE 2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Anaheim, CA, USA (2012.04.15-2012.04.19)] 2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Bias temperature instability in High-κ/metal gate transistors - Gate stack scaling trends

Krishnan, Siddarth, Narayanan, Vijay, Cartier, Eduard, Ioannou, Dimitris, Zhao, Kai, Ando, Takashi, Kwon, Unoh, Linder, Barry, Stathis, James, Chudzik, Michael, Kerber, Andreas, Choi, Kisik

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 301 KB

english, 2012

6

ECS Transactions [ECS 218th ECS Meeting - Las Vegas, NV (October 10 - October 15, 2010)] - (Invited) The Role of Oxygen in the Development of Hf-Base High-k/Metal Gate Stacks for CMOS Technologies

Cartier, Eduard A.

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2010

7

Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies

Khan, Faraz, Cartier, Eduard, Woo, Jason C. S., Iyer, Subramanian S.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 686 KB

english, 2017

8

Quasi-damascene metal gate/high-k CMOS using oxygenation through gate electrodes

Changhwan Choi, Takashi Ando, Eduard Cartier, Martin M. Frank, Ryosuke Iijima, Vijay Narayanan

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 697 KB

english, 2009

9

Interfacial layer optimization of high-k/metal gate stacks for low temperature processing

Barry P. Linder, Vijay Narayanan, Eduard A. Cartier

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 330 KB

english, 2009

10

Effective electron mobility in Si inversion layers in metal–oxide–semiconductor systems with a high-κ insulator: The role of remote phonon scattering

Fischetti, Massimo V., Neumayer, Deborah A., Cartier, Eduard A.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 604 KB

english, 2001

11

Switching of ferroelectric polarization in epitaxial BaTiO3 films on silicon without a conducting bottom electrode

Dubourdieu, Catherine, Bruley, John, Arruda, Thomas M., Posadas, Agham, Jordan-Sweet, Jean, Frank, Martin M., Cartier, Eduard, Frank, David J., Kalinin, Sergei V., Demkov, Alexander A., Narayanan, Vij

Журнал:

Nature Nanotechnology

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 6.32 MB

english, 2013

12

Application of VRS Methodology for the Statistical Assessment of BTI in MG/HK CMOS Devices

Kerber, Andreas, Cartier, Eduard

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 725 KB

english, 2013

13

Switching of ferroelectric polarization in epitaxial BaTiO3 films on silicon without a conducting bottom electrode

Dubourdieu, Catherine, Bruley, John, Arruda, Thomas M., Posadas, Agham, Jordan-Sweet, Jean, Frank, Martin M., Cartier, Eduard, Frank, David J., Kalinin, Sergei V., Demkov, Alexander A., Narayanan, Vij

Журнал:

Nature Nanotechnology

Рік:

2013

Файл:

PDF, 42 KB

2013

14

A Fast Four-Point Sense Methodology for Extraction of Circuit-Relevant Degradation Parameters

Kerber, Andreas, Cartier, Eduard

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 411 KB

english, 2010

15

On the Electron and Hole Tunneling in a $ \hbox{HfO}_{2}$ Gate Stack With Extreme Interfacial-Layer Scaling

Ando, Takashi, Sathaye, Ninad D., Murali, Kota V. R. M., Cartier, Eduard A.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 398 KB

english, 2011

16

Interface studies of tungsten gate metal–oxide–silicon capacitors

Shang, Huiling, White, Marvin H., Guarini, Kathryn W., Solomon, Paul, Cartier, Eduard, McFeely, Fenton R., Yurkas, John J., Lee, Wen-Chin

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 310 KB

english, 2001

17

Oxygen defects and Fermi level location in metal-hafnium oxide-silicon structures

Lim, Daeyoung, Haight, Richard, Copel, Matthew, Cartier, Eduard

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 337 KB

english, 2005

18

Impact of metal gates on remote phonon scattering in titanium nitride/hafnium dioxide n-channel metal–oxide–semiconductor field effect transistors–low temperature electron mobility study

Maitra, Kingsuk, Frank, Martin M., Narayanan, Vijay, Misra, Veena, Cartier, Eduard A.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 651 KB

english, 2007

19

[IEEE 2011 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Monterey, CA, USA (2011.04.10-2011.04.14)] 2011 International Reliability Physics Symposium - Analysis of recoverable and non-recoverable NBTI and PBTI using AC and DC stresses

Monsieur, Frederic, Cartier, Eduard, Stathis, James

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 610 KB

english, 2011

20

[IEEE 2011 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Monterey, CA, USA (2011.04.10-2011.04.14)] 2011 International Reliability Physics Symposium - Mechanistic understanding of Breakdown and Bias Temperature Instability in High-K Metal devices using inline Fast Ramped Bias Test

Krishnan, Siddarth A., Cartier, Eduard, Stathis, James, Chudzik, Michael, Kerber, Andreas

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 2011

21

ECS Transactions [ECS 220th ECS Meeting - Boston, MA (October 9 - October 14, 2011)] - (Invited) Voltage Ramp Stress Based Stress-And-Sense Test Method For Reliability Characterization of Hf-Base High-k/Metal Gate Stacks For CMOS Technologies

Cartier, Eduard, Kerber, Adreas, Krishnan, Siddarth, Linder, Barry, Ando, Takashi, Frank, Martin M., Choi, Kisik, Narayanan, Vijay

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 726 KB

english, 2011

22

ECS Transactions [ECS 217th ECS Meeting - Vancouver, Canada (April 25 - April 30, 2010)] - Oxygen Transport in High-k Metal Gate Stacks and Physical Characterization by SIMS Using Isotopic Labeled Oxygen

Hopstaken, Marinus J., Bruley, John, Pfeiffer, Dirk, Copel, Matthew, Frank, Martin M., Cartier, Eduard, Ando, Takashi, Narayanan, Vijay

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 703 KB

english, 2010

23

The Impact of Self-Heating on Charge Trapping in High- $k$ -Metal-Gate nFETs

Khan, Faraz, Cartier, Eduard, Kothandaraman, Chandrasekara, Scott, J. Campbell, Woo, Jason C. S., Iyer, Subramanian S.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 947 KB

english, 2016

24

SPIE Proceedings [SPIE Microlithography '99 - Santa Clara, CA (Sunday 14 March 1999)] Emerging Lithographic Technologies III - Hot electron emission lithography

Poppeller, Marcus, Cartier, Eduard, Tromp, R. M., Vladimirsky, Yuli

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 1999

25

SPIE Proceedings [SPIE Optical Materials for High Power Lasers - Boulder, CO (Monday 28 September 1992)] 24th Annual Boulder Damage Symposium Proceedings -- Laser-Induced Damage in Optical Materials: 1992 - Theory and modeling of laser-induced free-electron heating in wide-gap solids

Arnold, Douglas, Cartier, Eduard, Bennett, Harold E., Chase, Lloyd L., Guenther, Arthur H., Newnam, Brian E., Soileau, M. J.

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 606 KB

english, 1993

26

SPIE Proceedings [SPIE Boulder - DL tentative - Boulder, CO (Monday 1 October 1990)] Laser-Induced Damage in Optical Materials: 1990 - Monte Carlo calculations of laser-induced free-electron heating in SiO2

Arnold, Douglas, Cartier, Eduard, Fischetti, Massimo V., Bennett, Harold E., Chase, Lloyd L., Guenther, Arthur H., Newnam, Brian E., Soileau, M. J.

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 693 KB

english, 1991

27

O 3 Treatment

Ando, Takashi, Hashemi, Pouya, Bruley, John, Rozen, John, Ogawa, Yohei, Koswatta, Siyuranga, Chan, Kevin K., Cartier, Eduard A., Mo, Renee, Narayanan, Vijay

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 462 KB

english, 2017

28

Evolution of interfacial Fermi level in In 0.53 Ga 0.47 As/high-κ/TiN gate stacks

Carr, Adra, Rozen, John, Frank, Martin M., Ando, Takashi, Cartier, Eduard A., Kerber, Pranita, Narayanan, Vijay, Haight, Richard

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 695 KB

english, 2015

29

[ECS 211th ECS Meeting - Chicago, Illinois (May 6-May 10, 2007)] ECS Transactions - Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies

Linder, Barry, Paruchuri, Vamsi, Narayanan, Vijay, Cartier, Eduard, Bojarczuk, Nestor, Guha, Supratik, Brown, Stephen, Wang, Y

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 233 KB

english, 2007

30

[IEEE 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2017.12.2-2017.12.6)] 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - High performance and reliable strained SiGe PMOS FinFETs enabled by advanced gate stack engineering

Hashemi, Pouya, Ando, Takashi, Cartier, Eduard A., Lee, Kam-Leung, Bruley, John, Lee, Choong-Hyun, Narayanan, Vijay

Рік:

2017

Файл:

PDF, 985 KB

2017

31

[IEEE 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Burlingame, CA (2018.3.11-2018.3.15)] 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - PBTI in InGaAs MOS capacitors with Al2O3/HfO2/TiN gate stacks: Interface-state generation

Cartier, Eduard, Frank, Martin M., Ando, Takashi, Rozen, John, Narayanan, Vijay

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2018

32

Pulse-Train Method to Measure Transient Response of Field-Effect Transistors

Jenkins, Keith A., Cartier, Eduard A., Yau, Jeng-Bang

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 707 KB

english, 2018

33

[IEEE 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Monterey, CA, USA (2019.3.31-2019.4.4)] 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Reliability Challenges with Materials for Analog Computing

Cartier, Eduard A., Kim, Wanki, Gong, Nanbo, Gokmen, Tayfun, Frank, Martin M., Bishop, Douglas M., Kim, Youngseok, Kim, Seyoung, Ando, Takashi, Wu, Ernest Y., Adusumilli, Praneet, Rozen, John, Solomon

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 42 KB

english, 2019

34

A maximum extreme-value distribution model for switching conductance of oxide-RRAM in memory applications

Wu, Ernest, Ando, Takashi, Kim, Youngseok, Muralidhar, Ramachandran, Cartier, Eduard, Jamison, Paul, Wang, Miaomiao, Narayanan, Vijay

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.63 MB

2020

35

[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Filamentary Statistical Evolution from Nano-Conducting Path to Switching-Filament for Oxide-RRAM in Memory Applications

Wu, Ernest, Ando, Takashi, Kim, Youngseok, Muralidhar, Ramachandran, Cartier, Eduard, Jamison, Paul, Wang, Miaomiao, Narayanan, Vijay

Рік:

2019

Файл:

PDF, 855 KB

2019

36

BEOL Compatible High-Capacitance MIMCAP Structure Using a Novel High k Material

Jamison, Paul C., Massey, John, Ando, Takashi, Cartier, Eduard A., Jagannathan, Hemanth, Chen, P. J., Liu, Eric, Romero, Alex, Naczas, Sebastian, Narayanan, Vijay, Pancharatnam, Shanti, Restle, Philli

Журнал:

ECS Transactions

Рік:

2020

Файл:

PDF, 3.10 MB

2020